SK hynix считает, что переход к структуре транзисторов с вертикальной компоновкой позволит снизить себестоимость DRAM

Производители микросхем оперативной памяти по примеру коллег из сегмента логических микросхем внедряют использование EUV-литографии, но это приводит к повышению затрат. Чтобы оправдать его, как считают представители SK hynix, микросхемы памяти нужно перевести на использование вертикальной компоновки транзисторов, и тогда фактическая себестоимость памяти даже снизится. Источник изображения: SK hynix

Автор публикации

не в сети 3 года

WeLANS

Для многих IT-консалтинг – это что-то непонятное и мифическое, но всё намного проще, чем кажется)
Комментарии: 0Публикации: 50166Регистрация: 15-12-2022

Источник: 3DNews - все новости сайта

Ответить

Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте, как обрабатываются ваши данные комментариев.

Авторизация
*
*
Регистрация
*
*
*
*
Пример: +79001234567
Генерация пароля