В свежей публикации в журнале Nature исследователи из Samsung с коллегами из Австралии сообщили о разработке NAND-флеш памяти будущего, которая будет потреблять намного меньше энергии и при этом останется высокоплотной. В новой разработке они объединили лучшие полупроводниковые проекты последних 20 лет — затворы из сегнетоэлектриков и каналы из оксидных полупроводников, буквально представив флеш-память будущего. Источник изображения: Samsung
Автор публикации
Для многих IT-консалтинг – это что-то непонятное и мифическое, но всё намного проще, чем кажется)
Источник: 3DNews: