Когда технология памяти 3D NAND находилась на заре своего развития, слоёв в кристаллах было значительно меньше, а отверстия металлизации были толще. Сегодня число слоёв перевалило за 200 и обещает подняться до 400 и более. Это сильно снижает скорость обработки пластин с памятью, поскольку травление отверстий металлизации на всю глубину разбухшего кристалла сильно тормозит процесс производства чипов и не позволяет снизить их себестоимость. Учёные из США попытались помочь с этим и добились результата. Источник изображения: ИИ-генерация DALL·E/3DNews
Автор публикации
Для многих IT-консалтинг – это что-то непонятное и мифическое, но всё намного проще, чем кажется)
Источник: 3DNews - все новости сайта